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产品简介:
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC TRANSISTOR RF NPN SOT343-4 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/Infineon_Robust_WiFi_SiGe_LNA_BFP840ESD_Rev1_1.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a304336ca04c90136e88a4d5f35b7 |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BFP 840ESD H6327 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 150 @ 10mA, 1.8V |
| 供应商器件封装 | SOT-343 |
| 其它名称 | BFP 840ESD H6327TR |
| 功率-最大值 | 75mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 0.85dB @ 5.5GHz |
| 增益 | 18.5dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-82A,SOT-343 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 2.25V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 35mA |
| 频率-跃迁 | 80GHz |